美光芯片的总体混合宝格注册工作负载改善了约 15%

来源:宝格娱乐     阅读: 次    日期:2020-11-10 17:13
   

  美光方面并未发布太多关于该技能的信息。

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  美光暗示其 176 层 3D NAND 已开始批量出产,并已在某些英睿达的消费级 SSD 产物中出货。

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  11 月 10 日动静 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉集会会议中心进行。而在 11 月 9 日晚,宝格注册,美光宣告了本身最新的第五代 3D NAND 闪存技能,该技能具有 176 层存储单位堆叠。

  新的 176 层闪存是美光与英特尔分离以来所研发的第二代产物,上一代 3D NAND 则是 128 层设计,算是美光的过渡节点。而今朝在三星的存储技能大幅度领先之下,美光 128 层 3D NAND 并没有出格高。另外,三牛开户,固然进级到了 176 层,但仍落伍于三星。

  176 层 NAND 支持的接口速度为 1600MT / s,高于其 96 层和 128 层闪存的 1200MT / s。与 96L NAND 对比,读(写)延迟提高了 35% 以上,与 128L NAND 对比,提高了 25% 以上。与利用 96L NAND 的 UFS 3.1 模块对比,美光芯片的总体殽杂事情负载改进了约 15%。

  ▲ 图源官方

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